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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI4830CDY-T1-E3
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SI4830CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI4830CDY-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI4830CDY-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SI4830CDY.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3700

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI4830CDY-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI4830CDY-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI4830CDY-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie LITTLE FOOT®  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V  
Potenza - Max 2.9W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A  
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base SI4830  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI4830CDY-T1-E3

Proprietà del prodotto SI4830CDY-T1-E3 SI4830ADY-T1-E3 SI4830CDY-T1-GE3 SI4830-A20-GUR
Modello di prodotti SI4830CDY-T1-E3 SI4830ADY-T1-E3 SI4830CDY-T1-GE3 SI4830-A20-GUR
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Silicon Power
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V - 950pF @ 15V -
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) -
Serie LITTLE FOOT® LITTLE FOOT® LITTLE FOOT® -
Potenza - Max 2.9W 1.1W 2.9W -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A 5.7A 8A -
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V 22mOhm @ 7.5A, 10V 20mOhm @ 8A, 10V -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 11nC @ 4.5V 25nC @ 10V -
Numero di prodotto di base SI4830 SI4830 SI4830 -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

SI4830CDY-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI4830CDY-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI4830CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Schede tecniche
SI4830CDY.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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