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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSI3805DV-T1-E3
SI3805DV-T1-E3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI3805DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI3805DV-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI3805DV-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
SI3805DV.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5210

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI3805DV-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI3805DV-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI3805DV-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie LITTLE FOOT®  
Rds On (max) a Id, Vgs 84mOhm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta), 1.4W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc)  
Numero di prodotto di base SI3805  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI3805DV-T1-E3

Proprietà del prodotto SI3805DV-T1-E3 SI3812DV-T1-GE3 SI3850DV-T1 SI3851DV
Modello di prodotti SI3805DV-T1-E3 SI3812DV-T1-GE3 SI3850DV-T1 SI3851DV
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V 2.5V, 4.5V - -
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) 830mW (Ta) - -
Vgs (Max) ±12V ±12V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 84mOhm @ 3A, 10V 125mOhm @ 2.4A, 4.5V - -
Tipo FET P-Channel N-Channel - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc) 2A (Ta) - -
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V - -
Serie LITTLE FOOT® LITTLE FOOT® - -
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Numero di prodotto di base SI3805 SI3812 - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 4 nC @ 4.5 V - -
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V - - -

SI3805DV-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI3805DV-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI3805DV-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Schede tecniche
SI3805DV.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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