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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SI3588DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI3588DV-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI3588DV-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
SI3588DV.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3860

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI3588DV-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI3588DV-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI3588DV-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min)  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 3A, 4.5V  
Potenza - Max 830mW, 83mW  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A, 570mA  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SI3588  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI3588DV-T1-E3

Proprietà del prodotto SI3588DV-T1-E3 SI3590DV-T1-GE3 SI3586DV-T1-E3 SI3585DV-T1-GE3
Modello di prodotti SI3588DV-T1-E3 SI3590DV-T1-GE3 SI3586DV-T1-E3 SI3585DV-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V 4.5nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 3.2nC @ 4.5V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min) 1.5V @ 250µA 1.1V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A, 570mA 2.5A, 1.7A 2.9A, 2.1A 2A, 1.5A
Numero di prodotto di base SI3588 SI3590 SI3586 SI3585
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 20V 20V
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 830mW, 83mW 830mW 830mW 830mW
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 3A, 4.5V 77mOhm @ 3A, 4.5V 60mOhm @ 3.4A, 4.5V 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

SI3588DV-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI3588DV-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI3588DV-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Schede tecniche
SI3588DV.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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