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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSI3475DV-T1-GE3
SI3475DV-T1-GE3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SI3475DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI3475DV-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI3475DV-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
SI3475DV.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4530

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI3475DV-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI3475DV-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI3475DV-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.61Ohm @ 900mA, 10V  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 950mA (Tc)  
Numero di prodotto di base SI3475  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI3475DV-T1-GE3

Proprietà del prodotto SI3475DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 SI3481DV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3
Modello di prodotti SI3475DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 SI3481DV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 950mA (Tc) 3.8A (Tc) 4A (Ta) 8A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 100 V 30 V 30 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base SI3475 SI3474 SI3481 SI3483
Rds On (max) a Id, Vgs 1.61Ohm @ 900mA, 10V 126mOhm @ 2A, 10V 48mOhm @ 5.3A, 10V 34mOhm @ 6.1A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 50 V 196 pF @ 50 V - 1000 pF @ 15 V
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Serie - TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

SI3475DV-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI3475DV-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI3475DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Schede tecniche
SI3475DV.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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