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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSI3424DV-T1-E3
SI3424DV-T1-E3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI3424DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI3424DV-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI3424DV-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
SI3424DV.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3680

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI3424DV-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI3424DV-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI3424DV-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 800mV @ 250µA (Min)  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 6.7A, 10V  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)  
Numero di prodotto di base SI3424  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI3424DV-T1-E3

Proprietà del prodotto SI3424DV-T1-E3 SI3430DV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 SI3430DV-T1-E3
Modello di prodotti SI3424DV-T1-E3 SI3430DV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 SI3430DV-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 6.7A, 10V 170mOhm @ 2.4A, 10V 21mOhm @ 4A, 4.5V 170mOhm @ 2.4A, 10V
Serie - - TrenchFET® -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base SI3424 SI3430 SI3429 SI3430
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) 1.8A (Ta) 8A (Ta), 8A (Tc) 1.8A (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 800mV @ 250µA (Min) 2V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 2V @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 100 V 20 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 6.6 nC @ 10 V 118 nC @ 10 V 6.6 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3424DV-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI3424DV-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI3424DV-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Schede tecniche
SI3424DV.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
32D-SI3424DV-T1-E3

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