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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSI2323CDS-T1-GE3
SI2323CDS-T1-GE3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SI2323CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI2323CDS-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI2323CDS-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
SI2323CDS.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 94100

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI2323CDS-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI2323CDS-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI2323CDS-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 4.6A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1090 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  
Numero di prodotto di base SI2323  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI2323CDS-T1-GE3

Proprietà del prodotto SI2323CDS-T1-GE3 SI2321DS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 SI2321DS-T1-E3
Modello di prodotti SI2323CDS-T1-GE3 SI2321DS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 SI2321DS-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1090 pF @ 10 V 715 pF @ 6 V 1160 pF @ 10 V 715 pF @ 6 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23 SOT-23-3 (TO-236)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 2.9A (Ta) 5.3A (Tc) 2.9A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 710mW (Ta) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 710mW (Ta)
Numero di prodotto di base SI2323 SI2321 SI2323 SI2321
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 4.6A, 4.5V 57mOhm @ 3.3A, 4.5V 39mOhm @ 4.1A, 4.5V 57mOhm @ 3.3A, 4.5V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 36 nC @ 8 V 13 nC @ 4.5 V

SI2323CDS-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI2323CDS-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI2323CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
Schede tecniche
SI2323CDS.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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