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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI1922EDH-T1-BE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI1922EDH-T1-BE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI1922EDH-T1-BE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI1922EDH-T1-BE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
Si1922EDH.pdf
In magazzino: 254660

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI1922EDH-T1-BE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI1922EDH-T1-BE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI1922EDH-T1-BE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 198mOhm @ 1A, 4.5V  
Potenza - Max 740mW (Ta), 1.25W (Tc)  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 8V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Ta), 1.3A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI1922  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-BE3

Proprietà del prodotto SI1922EDH-T1-BE3 SI1913DH-T1-E3 SI1926DL-T1-GE3 SI1967DH-T1-BE3
Modello di prodotti SI1922EDH-T1-BE3 SI1913DH-T1-E3 SI1926DL-T1-GE3 SI1967DH-T1-BE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Ta), 1.3A (Tc) 880mA 370mA 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 60V 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 8V 1.8nC @ 4.5V 1.4nC @ 10V 4nC @ 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - 18.5pF @ 30V 110pF @ 10V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numero di prodotto di base SI1922 SI1913 SI1926 SI1967
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 100µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 198mOhm @ 1A, 4.5V 490mOhm @ 880mA, 4.5V 1.4Ohm @ 340mA, 10V 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Potenza - Max 740mW (Ta), 1.25W (Tc) 570mW 510mW 740mW (Ta), 1.25W (Tc)

SI1922EDH-T1-BE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI1922EDH-T1-BE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI1922EDH-T1-BE3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
Schede tecniche
Si1922EDH.pdf
Guida alla numerazione delle parti
Low Voltage Ordering Info..pdf

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