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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI1551DL-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI1551DL-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI1551DL-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI1551DL-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
SI1551DL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI1551DL-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI1551DL-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI1551DL-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9Ohm @ 290mA, 4.5V  
Potenza - Max 270mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 290mA, 410mA  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SI1551  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI1551DL-T1-E3

Proprietà del prodotto SI1551DL-T1-E3 SI1553CDL-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3 SI1551DL-T1-GE3
Modello di prodotti SI1551DL-T1-E3 SI1553CDL-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3 SI1551DL-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 38pF @ 10V - -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V 1.8nC @ 10V 1.2nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V
Numero di prodotto di base SI1551 SI1553 SI1555 SI1551
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 290mA, 410mA 700mA, 500mA 660mA, 570mA 290mA, 410mA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 270mW 340mW 270mW 270mW
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9Ohm @ 290mA, 4.5V 390mOhm @ 700mA, 4.5V 385mOhm @ 660mA, 4.5V 1.9Ohm @ 290mA, 4.5V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V, 8V 20V

SI1551DL-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI1551DL-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI1551DL-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf
Schede tecniche
SI1551DL.pdf

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