Specifiche
Specifiche tecnologiche SI1035X-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI1035X-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI1035X-T1-GE3
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
Vishay / Siliconix |
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| Vgs (th) (max) a Id |
400mV @ 250µA (Min) |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
SC-89 (SOT-563F) |
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| Serie |
TrenchFET® |
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| Rds On (max) a Id, Vgs |
5Ohm @ 200mA, 4.5V |
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| Potenza - Max |
250mW |
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| Contenitore / involucro |
SOT-563, SOT-666 |
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| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
0.75nC @ 4.5V |
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| Caratteristica FET |
Logic Level Gate |
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| Tensione drain-source (Vdss) |
20V |
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| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
180mA, 145mA |
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| Configurazione |
N and P-Channel |
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| Numero di prodotto di base |
SI1035 |
|
Metodo di spedizione
Tempi di consegna
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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SI1032R-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
SI1032X-T1Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI1032X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3