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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLZ14STRLPBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLZ14STRLPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLZ14STRLPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLZ14STRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRLZ14S,L, SiHLZ14S,L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30350

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLZ14STRLPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLZ14STRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLZ14STRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLZ14  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLZ14STRLPBF

Proprietà del prodotto IRLZ14STRLPBF IRLZ14 IRLZ14STRL IRLW630ATM
Modello di prodotti IRLZ14STRLPBF IRLZ14 IRLZ14STRL IRLW630ATM
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 400mOhm @ 4.5A, 5V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 9A (Tc)
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 755 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 27 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±20V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 200 V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-220AB D²PAK (TO-263) I2PAK (TO-262)
Numero di prodotto di base IRLZ14 IRLZ14 IRLZ14 IRLW63
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 5V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRLZ14STRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLZ14STRLPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRLZ14STRLPBF - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
IRLZ14S,L, SiHLZ14S,L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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