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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLR120TR
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLR120TR - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLR120TR
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR120TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR(U)120,%20SiHLR(U)120.pdf
In magazzino: 4030

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR120TR
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLR120TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLR120TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 4.6A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLR120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLR120TR

Proprietà del prodotto IRLR120TR IRLR210ATF IRLR120PBF IRLR120NTRLPBF
Modello di prodotti IRLR120TR IRLR210ATF IRLR120PBF IRLR120NTRLPBF
fabbricante Vishay Siliconix onsemi Vishay Siliconix Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 5V 4V, 5V 4V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Tc) 2.7A (Tc) 7.7A (Tc) 10A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 200 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±16V
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak TO-252AA D-Pak D-Pak
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 4.6A, 5V 1.5Ohm @ 1.35A, 5V 270mOhm @ 4.6A, 5V 185mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 21W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 48W (Tc)
Serie - - - HEXFET®
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 9 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base IRLR120 IRLR21 IRLR120 IRLR120

IRLR120TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR120TR PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRLR120TR - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRLR(U)120,%20SiHLR(U)120.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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