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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL540
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL540 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL540
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL540
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL540.pdf
In magazzino: 4910

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL540
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL540, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL540

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL540  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL540

Proprietà del prodotto IRL540 IRL540NPBF IRL530S IRL530NSTRL
Modello di prodotti IRL540 IRL540NPBF IRL530S IRL530NSTRL
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 140W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) D2PAK
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V
Rds On (max) a Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V 44mOhm @ 18A, 10V 160mOhm @ 9A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc) 36A (Tc) 15A (Tc) 17A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base IRL540 IRL540 IRL530 -

IRL540 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL540 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL540 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
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