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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFZ44S
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFZ44S - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFZ44S
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFZ44S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFZ44S/L, SiHFZ44S/L.pdf
In magazzino: 4310

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFZ44S
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFZ44S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFZ44S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFZ44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFZ44S

Proprietà del prodotto IRFZ44S IRFZ44NSPBF IRFZ44PBF IRFZ44VPBF
Modello di prodotti IRFZ44S IRFZ44NSPBF IRFZ44PBF IRFZ44VPBF
fabbricante Vishay Siliconix International Rectifier Vishay Siliconix Infineon Technologies
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 55 V 60 V 60 V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1812 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 49A (Tc) 50A (Tc) 55A (Tc)
Numero di prodotto di base IRFZ44 - IRFZ44 IRFZ44
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK TO-220AB TO-220AB
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 28mOhm @ 31A, 10V 16.5mOhm @ 31A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 150W (Tc) 115W (Tc)

IRFZ44S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFZ44S PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFZ44S - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRFZ44S/L, SiHFZ44S/L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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