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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFZ14SPBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFZ14SPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFZ14SPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFZ14SPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFZ14.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 67470

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFZ14SPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFZ14SPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFZ14SPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFZ14  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFZ14SPBF

Proprietà del prodotto IRFZ14SPBF IRFZ24 IRFZ20 IRFZ14PBF
Modello di prodotti IRFZ14SPBF IRFZ24 IRFZ20 IRFZ14PBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 50 V 60 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V 200mOhm @ 6A, 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 17A (Tc) 15A (Tc) 10A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 60W (Tc) 40W (Tc) 43W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base IRFZ14 IRFZ24 IRFZ20 IRFZ14
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 850 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V
Serie - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFZ14SPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFZ14SPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFZ14SPBF - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
IRFZ14.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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