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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFU224
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFU224 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFU224
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFU224
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224.pdf
In magazzino: 4770

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFU224
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFU224, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFU224

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251AA  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFU2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFU224

Proprietà del prodotto IRFU224 IRFU2405PBF IRFU220PBF IRFU220N
Modello di prodotti IRFU224 IRFU2405PBF IRFU220PBF IRFU220N
fabbricante Vishay Siliconix International Rectifier Vishay Siliconix Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.3A, 10V 16mOhm @ 34A, 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V 600mOhm @ 2.9A, 10V
Numero di prodotto di base IRFU2 - IRFU220 -
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 55 V 200 V 200 V
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V 2430 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc) 56A (Tc) 4.8A (Tc) 5A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 43W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie - - - HEXFET®

IRFU224 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFU224 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFU224 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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