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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFU214
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFU214 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFU214
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFU214
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRFU214.pdf
In magazzino: 4580

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFU214
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFU214, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFU214

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251AA  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 1.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFU2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFU214

Proprietà del prodotto IRFU214 IRFU214PBF IRFU210PBF IRFU220
Modello di prodotti IRFU214 IRFU214PBF IRFU210PBF IRFU220
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Serie - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 1.3A, 10V 2Ohm @ 1.3A, 10V 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-251AA TO-251AA TO-251AA TO-251AA
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IRFU2 IRFU214 IRFU210 IRFU2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Tc) 2.2A (Tc) 2.6A (Tc) 4.8A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 250 V 200 V 200 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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