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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFU120PBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFU120PBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFU120PBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFU120PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 79450

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFU120PBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFU120PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFU120PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251AA  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 4.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFU120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFU120PBF

Proprietà del prodotto IRFU120PBF IRFU13N20DPBF IRFU120NPBF IRFU1N60A
Modello di prodotti IRFU120PBF IRFU13N20DPBF IRFU120NPBF IRFU1N60A
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 200 V 100 V 600 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 110W (Tc) 48W (Tc) 36W (Tc)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Tc) 13A (Tc) 9.4A (Tc) 1.4A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IRFU120 - IRFU120 IRFU1
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 4.6A, 10V 235mOhm @ 8A, 10V 210mOhm @ 5.6A, 10V 7Ohm @ 840mA, 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Contenitore dispositivo fornitore TO-251AA IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) TO-251AA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 229 pF @ 25 V

IRFU120PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFU120PBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFU120PBF - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
IRFU/SIH 21/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120.pdf

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Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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