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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFU014PBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFU014PBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFU014PBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFU014PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 63180

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFU014PBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFU014PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFU014PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251AA  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFU014  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFU014PBF

Proprietà del prodotto IRFU014PBF IRFTS8342TRPBF IRFU024 IRFU020PBF
Modello di prodotti IRFU014PBF IRFTS8342TRPBF IRFU024 IRFU020PBF
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2.35V @ 25µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 4.8 nC @ 4.5 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 10V 19mOhm @ 8.2A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - HEXFET® - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Tc) 8.2A (Ta) 14A (Tc) 14A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 560 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IRFU014 IRFTS8342 IRFU IRFU
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA SOT-23-6 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 30 V 60 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2W (Ta) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore TO-251AA 6-TSOP TO-251AA TO-251AA

IRFU014PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFU014PBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFU014PBF - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
IRFU/SIH 21/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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