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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFD9113
IRFD9113 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFD9113 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFD9113
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFD9113
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
IRFD9113.pdf
In magazzino: 4220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFD9113
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFD9113, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFD9113

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id -  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 4-HVMDIP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.6Ohm @ 300mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 15 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta)  
Numero di prodotto di base IRFD9113  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFD9113

Proprietà del prodotto IRFD9113 IRFD9123 IRFD9120 IRFD9014
Modello di prodotti IRFD9113 IRFD9123 IRFD9120 IRFD9014
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore / involucro 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
temperatura di esercizio - - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta) 1A (Ta) 1A (Ta) 1.1A (Ta)
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numero di prodotto di base IRFD9113 IRFD9123 IRFD9120 IRFD9014
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 15 V 18 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) - - 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Vgs (th) (max) a Id - 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 1.6Ohm @ 300mA, 10V 600mOhm @ 600mA, 10V 600mOhm @ 600mA, 10V 500mOhm @ 660mA, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 100 V 60 V

IRFD9113 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFD9113 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFD9113 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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