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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFD420
IRFD420 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFD420 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFD420
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFD420
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
IRFD420.pdf
In magazzino: 5220

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFD420
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFD420, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFD420

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 4-HVMDIP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 220mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 370mA (Ta)  
Numero di prodotto di base IRFD420  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFD420

Proprietà del prodotto IRFD420 IRFD9020 IRFD9024PBF IRFD9014PBF
Modello di prodotti IRFD420 IRFD9020 IRFD9024PBF IRFD9014PBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore dispositivo fornitore 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 370mA (Ta) 1.6A (Ta) 1.6A (Ta) 1.1A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 60 V 60 V 60 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 220mA, 10V 280mOhm @ 960mA, 10V 280mOhm @ 960mA, 10V 500mOhm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 1µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numero di prodotto di base IRFD420 IRFD9020 IRFD9024 IRFD9014
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)

IRFD420 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFD420 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFD420 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
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Europa Germania 5
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Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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