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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFBF20PBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFBF20PBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFBF20PBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFBF20PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRFBF20.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30742

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFBF20PBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFBF20PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFBF20PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 54W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFBF20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFBF20PBF

Proprietà del prodotto IRFBF20PBF IRFBF20S IRFBF20STRLPBF IRFBF20SPBF
Modello di prodotti IRFBF20PBF IRFBF20S IRFBF20STRLPBF IRFBF20SPBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base IRFBF20 IRFBF20 IRFBF20 IRFBF20
Dissipazione di potenza (max) 54W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V 8Ohm @ 1A, 10V 8Ohm @ 1A, 10V 8Ohm @ 1A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Tc) 1.7A (Tc) 1.7A (Tc) 1.7A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 900 V 900 V 900 V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFBF20PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFBF20PBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFBF20PBF - Vishay Siliconix.

Altri documenti correlati
Packaging Information.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf
Schede tecniche
IRFBF20.pdf

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