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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFBC30ALPBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFBC30ALPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFBC30ALPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFBC30ALPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRFBC30ALPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 43510

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFBC30ALPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFBC30ALPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFBC30ALPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFBC30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFBC30ALPBF

Proprietà del prodotto IRFBC30ALPBF IRFBC30ASPBF IRFBC20LPBF IRFBC20SPBF
Modello di prodotti IRFBC30ALPBF IRFBC30ASPBF IRFBC20LPBF IRFBC20SPBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4.4Ohm @ 1.3A, 10V 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Numero di prodotto di base IRFBC30 IRFBC30 IRFBC20 IRFBC20
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) 74W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK D²PAK (TO-263) TO-262-3 D²PAK (TO-263)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc) 3.6A (Tc) 2.2A (Tc) 2.2A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFBC30ALPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFBC30ALPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFBC30ALPBF - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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