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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF9630STRR
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF9630STRR - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRF9630STRR
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF9630STRR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF9630STRR.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4450

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF9630STRR
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRF9630STRR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRF9630STRR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 3.9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 74W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF9630  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRF9630STRR

Proprietà del prodotto IRF9630STRR IRF9633 IRF9630PBF IRF9622
Modello di prodotti IRF9630STRR IRF9633 IRF9630PBF IRF9622
fabbricante Vishay Siliconix Harris Corporation Vishay Siliconix Harris Corporation
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 74W (Tc) 75W (Tc) 74W (Tc) 40W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB TO-220
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base IRF9630 - IRF9630 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc) 5.5A (Tc) 6.5A (Tc) 3A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 150 V 200 V 200 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tube Bulk
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 3.9A, 10V 1.2Ohm @ 3.5A, 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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