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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF9620S
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF9620S - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRF9620S
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF9620S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF9620S, SiHF9620S.pdf
In magazzino: 4830

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF9620S
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRF9620S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRF9620S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF9620  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRF9620S

Proprietà del prodotto IRF9620S IRF9620STRL IRF9630 IRF9621
Modello di prodotti IRF9620S IRF9620STRL IRF9630 IRF9621
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation Harris Corporation
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Tc) 3.5A (Tc) 6.5A (Tc) 3.5A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 150 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - - - -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 40W (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) 74W (Tc) 40W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IRF9620 IRF9620 - -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF9620S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF9620S PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRF9620S - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRF9620S, SiHF9620S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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