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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF740S
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF740S - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRF740S
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF740S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF740S, SiHF740S.pdf
In magazzino: 4150

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF740S
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRF740S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRF740S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF740  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRF740S

Proprietà del prodotto IRF740S IRF740STRLPBF IRF740B IRF740LCS
Modello di prodotti IRF740S IRF740STRLPBF IRF740B IRF740LCS
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V 540mOhm @ 5A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IRF740 IRF740 - IRF740
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220-3 D²PAK (TO-263)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 400 V 400 V 400 V
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 134W (Tc) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube

IRF740S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF740S PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRF740S - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRF740S, SiHF740S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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