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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF720STRRPBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF720STRRPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRF720STRRPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF720STRRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF720SPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 24517

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF720STRRPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRF720STRRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRF720STRRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF720  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRF720STRRPBF

Proprietà del prodotto IRF720STRRPBF IRF720PBF IRF7210TRPBF IRF7220
Modello di prodotti IRF720STRRPBF IRF720PBF IRF7210TRPBF IRF7220
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 212 nC @ 5 V 125 nC @ 5 V
Caratteristica FET - - - -
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Numero di prodotto di base IRF720 IRF720 - -
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-220AB 8-SO 8-SO
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 400 V 12 V 14 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 17179 pF @ 10 V 8075 pF @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc) 3.3A (Tc) 16A (Ta) 11A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 7mOhm @ 16A, 4.5V 12mOhm @ 11A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 600mV @ 500µA (Min) 600mV @ 250µA (Min)

IRF720STRRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF720STRRPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRF720STRRPBF - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
IRF720SPBF.pdf

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Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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