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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF634
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF634 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRF634
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF634
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRF634.pdf
In magazzino: 4970

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF634
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRF634, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRF634

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 450mOhm @ 5.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.1A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF634  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRF634

Proprietà del prodotto IRF634 IRF634 IRF630STRR IRF630STRL
Modello di prodotti IRF634 IRF634 IRF630STRR IRF630STRL
fabbricante Vishay Siliconix STMicroelectronics Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220 D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) 80W (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc)
Numero di prodotto di base IRF634 IRF6 IRF630 IRF630
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 450mOhm @ 5.1A, 10V 450mOhm @ 4A, 10V 400mOhm @ 5.4A, 10V 400mOhm @ 5.4A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 250 V 200 V 200 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 51.8 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - MESH OVERLAY™ - -
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.1A (Tc) 8A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount

IRF634 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF634 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRF634 - Vishay Siliconix.

Altri documenti correlati
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Schede tecniche
IRF634.pdf

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