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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF530SPBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF530SPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRF530SPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF530SPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF530S, SiHF530S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 66360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF530SPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRF530SPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRF530SPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF530  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRF530SPBF

Proprietà del prodotto IRF530SPBF IRF530S IRF532 IRF530PBF
Modello di prodotti IRF530SPBF IRF530S IRF532 IRF530PBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation Vishay Siliconix
Numero di prodotto di base IRF530 IRF530 - IRF530
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 79W (Tc) 88W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 230mOhm @ 8.3A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 14A (Tc) 12A (Tc) 14A (Tc)

IRF530SPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF530SPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRF530SPBF - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRF530S, SiHF530S.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Altri documenti correlati
Packaging Information.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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