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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRC730PBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRC730PBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRC730PBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRC730PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220-5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-5
Scheda dati
IRC730.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4640

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRC730PBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRC730PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRC730PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-5  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-5  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Current Sensing  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRC730  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRC730PBF

Proprietà del prodotto IRC730PBF IRC634PBF IRC830PBF IRC840PBF
Modello di prodotti IRC730PBF IRC634PBF IRC830PBF IRC840PBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base IRC730 IRC634 IRC830 IRC840
Caratteristica FET Current Sensing Current Sensing Current Sensing Current Sensing
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5
Contenitore / involucro TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 250 V 500 V 500 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc) 8.1A (Tc) 4.5A (Tc) 8A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) 74W (Tc) 74W (Tc) 125W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V 450mOhm @ 4.9A, 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IRC730PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRC730PBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRC730PBF - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRC730.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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