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United States(English) Canada(English) Haiti(Ayiti) Mexico(español)
CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-JFET2N4338-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

2N4338-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
2N4338-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-2N4338-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
JFET N-CH 50V TO206AA
Pacchetto
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Scheda dati
2N4338 thru 2N4341.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4850

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N4338-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - 2N4338-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - 2N4338-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id 300 mV @ 100 nA  
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS) 50 V  
Contenitore dispositivo fornitore TO-206AA (TO-18)  
Serie -  
Potenza - Max 300 mW  
Contenitore / involucro TO-206AA, TO-18-3 Metal Can  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V  
Tipo FET N-Channel  
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) 200 µA @ 15 V  
Numero di prodotto di base 2N4338  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix 2N4338-E3

Proprietà del prodotto 2N4338-E3 2N4250 2N4363 2N4300
Modello di prodotti 2N4338-E3 2N4250 2N4363 2N4300
fabbricante Vishay Siliconix Central Semiconductor Corp Powerex Inc. Microchip Technology
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS) 50 V - - -
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id 300 mV @ 100 nA - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Chassis, Stud Mount -
Contenitore / involucro TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-106-3 Domed TO-209AC, TO-94-4, Stud -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C -
Tipo FET N-Channel - - -
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) 200 µA @ 15 V - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-206AA (TO-18) TO-106 - -
Serie - - - *
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V - - -
Numero di prodotto di base 2N4338 - - 2N4300
Potenza - Max 300 mW 200 mW - -

2N4338-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N4338-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per 2N4338-E3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
OBS 17/Mar/2008.pdf Mult Device OBS Update 15/May/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014.pdf
Schede tecniche
2N4338 thru 2N4341.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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