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CasaCentro di prodottiIsolatoriOptoisolatori-Transistor, uscita fotovoltaicaTCET1100G
Vishay Semiconductor Opto Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TCET1100G - Vishay Semiconductor Opto Division

fabbricante Modello di prodotti
TCET1100G
fabbricante
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Modello di prodotti
32D-TCET1100G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-DIP (0.400', 10.16mm)
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 191570

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Specifiche

Specifiche tecnologiche TCET1100G
Specifiche tecniche Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1100G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1100G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay Semiconductor - Opto Division  
Tensione - uscita (max) 70V  
Tensione - Isolamento 5000Vrms  
Tensione - Forward (Vf) (Typ) 1.25V  
Vce saturazione (max) 300mV  
Accensione / spegnimento (Typ) 6µs, 5µs  
Contenitore dispositivo fornitore 4-DIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 3µs, 4.7µs  
Contenitore / involucro 4-DIP (0.400', 10.16mm)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo di uscita Transistor  
temperatura di esercizio -40°C ~ 100°C  
Numero di canali 1  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso DC  
Rapporto trasferimento corrente (min) 50% @ 5mA  
Rapporto trasferimento corrente (max) 600% @ 5mA  
Corrente - Uscita / Canale 50mA  
Corrente - DC Forward (If) (Max) 60 mA  
Numero di prodotto di base TCET1100  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Semiconductor Opto Division TCET1100G

Proprietà del prodotto TCET1100G TCET1102G TCET1101 TCET1103G
Modello di prodotti TCET1100G TCET1102G TCET1101 TCET1103G
fabbricante Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division
Tensione - uscita (max) 70V 70V 70V 70V
Rapporto trasferimento corrente (min) 50% @ 5mA 63% @ 10mA 40% @ 10mA 100% @ 10mA
Rapporto trasferimento corrente (max) 600% @ 5mA 125% @ 10mA 80% @ 10mA 200% @ 10mA
Tipo di ingresso DC DC DC DC
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
Numero di canali 1 1 1 1
Tensione - Isolamento 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms
Contenitore dispositivo fornitore 4-DIP 4-DIP 4-DIP 4-DIP
Contenitore / involucro 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.300', 7.62mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm)
Tipo di uscita Transistor Transistor Transistor Transistor
Numero di prodotto di base TCET1100 TCET1102 TCET11 TCET1103
Tempo di salita / scadenza (Typ) 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs
Corrente - Uscita / Canale 50mA 50mA 50mA 50mA
Serie - - - -
Vce saturazione (max) 300mV 300mV 300mV 300mV
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Accensione / spegnimento (Typ) 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs
Corrente - DC Forward (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
Tensione - Forward (Vf) (Typ) 1.25V 1.25V 1.25V 1.25V

TCET1100G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TCET1100G PDF e la documentazione Vishay Semiconductor Opto Division per TCET1100G - Vishay Semiconductor Opto Division.

Schede tecniche
Cylindrical Battery Holders.pdf
Foglio dati HTML
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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