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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduliVS-GP250SA60S
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VS-GP250SA60S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
VS-GP250SA60S
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-VS-GP250SA60S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT MOD 600V 380A 893W SOT227
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
VS-GP250SA60S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4760

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VS-GP250SA60S
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GP250SA60S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GP250SA60S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 1.3V @ 15V, 100A  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227  
Serie -  
Potenza - Max 893 W  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Termistore NTC No  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT PT, Trench  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100 µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 380 A  
Configurazione Single  
Numero di prodotto di base GP250  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GP250SA60S

Proprietà del prodotto VS-GP250SA60S VS-GT175DA120U VS-GB90SA120U VS-GA250SA60S
Modello di prodotti VS-GP250SA60S VS-GT175DA120U VS-GB90SA120U VS-GA250SA60S
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numero di prodotto di base GP250 GT175 GB90 GA250
Potenza - Max 893 W 1087 W 862 W 961 W
Corrente - Cutoff collettore (max) 100 µA 100 µA 250 µA 1 mA
Ingresso Standard Standard Standard Standard
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227 SOT-227 SOT-227 SOT-227
Termistore NTC No No No No
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4 SOT-227-4
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V 1200 V 1200 V 600 V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 1.3V @ 15V, 100A 2.1V @ 15V, 100A 3.9V @ 15V, 75A 1.66V @ 15V, 200A
Configurazione Single Single Single Single
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo IGBT PT, Trench Trench NPT -
Corrente - collettore (Ic) (max) 380 A 288 A 149 A 400 A

VS-GP250SA60S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VS-GP250SA60S PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per VS-GP250SA60S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

PCN Design/Specifica
Ink to Laser 03/Feb/2016.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
VS-GPx obs 12/Jul/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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