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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloVS-4EWH02FNTR-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VS-4EWH02FNTR-M3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
VS-4EWH02FNTR-M3
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-VS-4EWH02FNTR-M3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
VS-4EWH02FN-M3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 124920

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Specifiche

Specifiche tecnologiche VS-4EWH02FNTR-M3
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-4EWH02FNTR-M3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-4EWH02FNTR-M3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 950 mV @ 4 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie FRED Pt®  
Tempo di ripristino inverso (trr) 20 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 3 µA @ 200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 4A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 4EWH02  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4EWH02FNTR-M3

Proprietà del prodotto VS-4EWH02FNTR-M3 VS-45L60 VS-50WQ03FNTR-M3 VS-45L40
Modello di prodotti VS-4EWH02FNTR-M3 VS-45L60 VS-50WQ03FNTR-M3 VS-45L40
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C -40°C ~ 200°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 200°C
Tecnologia Standard Standard Schottky Standard
Tipo montaggio Surface Mount Stud Mount Surface Mount Stud Mount
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 950 mV @ 4 A 1.33 V @ 471 A 460 mV @ 5 A 1.33 V @ 471 A
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V 600 V 30 V 400 V
Serie FRED Pt® - - -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di ripristino inverso (trr) 20 ns - - -
Numero di prodotto di base 4EWH02 45L60 50WQ03 45L40
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Corrente - raddrizzata media (Io) 4A 150A 5.5A 150A
Capacità a Vr, F - - 590pF @ 5V, 1MHz -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DO-205AC, DO-30, Stud TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DO-205AC, DO-30, Stud
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) DO-205AC (DO-30) D-PAK (TO-252AA) DO-205AC (DO-30)
Corrente - Dispersione inversa a Vr 3 µA @ 200 V - 3 mA @ 30 V -

VS-4EWH02FNTR-M3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VS-4EWH02FNTR-M3 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per VS-4EWH02FNTR-M3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

PCN Design/Specifica
Leadframe Update 04/Sep/2015.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Changes 19/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
VS-4EWH02FN-M3.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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VS-4EWH02FNTR-M3

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