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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloVS-31DQ10
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VS-31DQ10 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
VS-31DQ10
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-VS-31DQ10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 100V 3.3A C16
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-201AD, Axial
Scheda dati
VS-31DQ09(-M3)/VS-31DQ010(-M3).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3700

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VS-31DQ10
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-31DQ10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-31DQ10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 850 mV @ 3 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore C-16  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro DO-201AD, Axial  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 100 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 3.3A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 31DQ10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ10

Proprietà del prodotto VS-31DQ10 VS-30WQ10FNTRR-M3 VS-30WQ10FNTRLHM3 VS-30WQ06FNTR-M3
Modello di prodotti VS-31DQ10 VS-30WQ10FNTRR-M3 VS-30WQ10FNTRLHM3 VS-30WQ06FNTR-M3
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Contenitore / involucro DO-201AD, Axial TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base 31DQ10 30WQ10 30WQ10 30WQ06
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Contenitore dispositivo fornitore C-16 D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA)
Capacità a Vr, F - 92pF @ 5V, 1MHz 92pF @ 5V, 1MHz 145pF @ 5V, 1MHz
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - raddrizzata media (Io) 3.3A 3.5A 3.5A 3.5A
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 850 mV @ 3 A 810 mV @ 3 A 810 mV @ 3 A 610 mV @ 3 A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V 100 V 100 V 60 V
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 100 V 1 mA @ 100 V 1 mA @ 100 V 2 mA @ 60 V
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky

VS-31DQ10 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VS-31DQ10 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per VS-31DQ10 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 19/Aug/2013.pdf
Schede tecniche
VS-31DQ09(-M3)/VS-31DQ010(-M3).pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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