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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloVS-2EFH02-M3/I
VS-2EFH02-M3/I Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VS-2EFH02-M3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
VS-2EFH02-M3/I
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-VS-2EFH02-M3/I
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-219AB
Scheda dati
VS-2EFH02-M3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 306640

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Specifiche

Specifiche tecnologiche VS-2EFH02-M3/I
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-2EFH02-M3/I, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-2EFH02-M3/I

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 950 mV @ 2 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie FRED Pt®  
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-219AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 2 µA @ 200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 2A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 2EFH02  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EFH02-M3/I

Proprietà del prodotto VS-2EFH02-M3/I VS-30BQ015-M3/9AT VS-30BQ015PBF VS-2EFH02HM3/I
Modello di prodotti VS-2EFH02-M3/I VS-30BQ015-M3/9AT VS-30BQ015PBF VS-2EFH02HM3/I
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Dispersione inversa a Vr 2 µA @ 200 V 4 mA @ 15 V 4 mA @ 15 V 2 µA @ 200 V
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns - - 25 ns
Serie FRED Pt® - - Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 950 mV @ 2 A 350 mV @ 3 A 350 mV @ 3 A 950 mV @ 2 A
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V 15 V 15 V 200 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C -55°C ~ 125°C -55°C ~ 125°C -65°C ~ 175°C
Corrente - raddrizzata media (Io) 2A 3A 3A 2A
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF) DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC) DO-219AB (SMF)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacità a Vr, F - 1120pF @ 5V, 1MHz - -
Contenitore / involucro DO-219AB DO-214AB, SMC DO-214AB, SMC DO-219AB
Numero di prodotto di base 2EFH02 30BQ015 30BQ015 2EFH02
Tecnologia Standard Schottky Schottky Standard

VS-2EFH02-M3/I Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VS-2EFH02-M3/I PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per VS-2EFH02-M3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
Wafer Changes 19/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
VS-2EFH02-M3.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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