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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloVS-20ETF12FPPBF
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VS-20ETF12FPPBF - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
VS-20ETF12FPPBF
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-VS-20ETF12FPPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GP 1.2KV 20A TO220ACFP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-2 Full Pack
Scheda dati
VS-20ETF12FPPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4090

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VS-20ETF12FPPBF
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-20ETF12FPPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-20ETF12FPPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.31 V @ 20 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC Full Pack  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 400 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-2 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 1200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 20A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 20ETF12  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF12FPPBF

Proprietà del prodotto VS-20ETF12FPPBF VS-20MQ040NPBF VS-20ETF06FPPBF VS-20ETF06PBF
Modello di prodotti VS-20ETF12FPPBF VS-20MQ040NPBF VS-20ETF06FPPBF VS-20ETF06PBF
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Corrente - raddrizzata media (Io) 20A 2.1A 20A 20A
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V 40 V 600 V 600 V
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Tecnologia Standard Schottky Standard Standard
Capacità a Vr, F - - - -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Numero di prodotto di base 20ETF12 20MQ040 20ETF06 20ETF06
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Serie - - - -
Tempo di ripristino inverso (trr) 400 ns - 160 ns 160 ns
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC Full Pack DO-214AC (SMA) TO-220AC Full Pack TO-220AC
Contenitore / involucro TO-220-2 Full Pack DO-214AC, SMA TO-220-2 Full Pack TO-220-2
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 1200 V 500 µA @ 40 V 100 µA @ 600 V 100 µA @ 600 V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.31 V @ 20 A 690 mV @ 2 A 1.3 V @ 20 A 1.3 V @ 20 A

VS-20ETF12FPPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VS-20ETF12FPPBF PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per VS-20ETF12FPPBF - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

PCN Altro
DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices Assembly 19/Jan/2018.pdf

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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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