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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloVS-1EFH02HM3/I
VS-1EFH02HM3/I Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VS-1EFH02HM3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
VS-1EFH02HM3/I
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-VS-1EFH02HM3/I
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-219AB
Scheda dati
VS-1EFH02HM3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 282170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VS-1EFH02HM3/I
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-1EFH02HM3/I, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-1EFH02HM3/I

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 930 mV @ 1 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®  
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-219AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 2 µA @ 200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 1EFH02  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1EFH02HM3/I

Proprietà del prodotto VS-1EFH02HM3/I VS-18TQ045PBF VS-20BQ030TRPBF VS-19TQ015PBF
Modello di prodotti VS-1EFH02HM3/I VS-18TQ045PBF VS-20BQ030TRPBF VS-19TQ015PBF
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® - - -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Capacità a Vr, F - - - -
Tecnologia Standard Schottky Schottky Schottky
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A 18A 2A 19A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 125°C
Corrente - Dispersione inversa a Vr 2 µA @ 200 V 2.5 mA @ 45 V 500 µA @ 30 V 1.5 mA @ 15 V
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF) TO-220AC DO-214AA (SMB) TO-220AC
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 930 mV @ 1 A 600 mV @ 18 A 470 mV @ 2 A 360 mV @ 19 A
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V 45 V 30 V 15 V
Numero di prodotto di base 1EFH02 18TQ045 20BQ030 19TQ015
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore / involucro DO-219AB TO-220-2 DO-214AA, SMB TO-220-2
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns - - -

VS-1EFH02HM3/I Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VS-1EFH02HM3/I PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per VS-1EFH02HM3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Plating House Add 15/Jan/2021.pdf
Schede tecniche
VS-1EFH02HM3.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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