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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciVF40120C-E3/4W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VF40120C-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
VF40120C-E3/4W
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-VF40120C-E3/4W
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Scheda dati
Vx40120C.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 27107

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VF40120C-E3/4W
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VF40120C-E3/4W, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VF40120C-E3/4W

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 880 mV @ 20 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 120 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore ITO-220AB  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie TMBS®  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 500 µA @ 120 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 20A  
Numero di prodotto di base VF40120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF40120C-E3/4W

Proprietà del prodotto VF40120C-E3/4W VF40150C-E3/4W VBT3045CBP-M3/4W FEPF16DT-E3/45
Modello di prodotti VF40120C-E3/4W VF40150C-E3/4W VBT3045CBP-M3/4W FEPF16DT-E3/45
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Tensione - inversa (Vr) (max) 120 V 150 V 45 V 200 V
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 880 mV @ 20 A 1.43 V @ 20 A 570 mV @ 15 A 950 mV @ 8 A
Contenitore dispositivo fornitore ITO-220AB ITO-220AB TO-263AB (D²PAK) ITO-220AB
Corrente - Dispersione inversa a Vr 500 µA @ 120 V 250 µA @ 150 V 2 mA @ 45 V 10 µA @ 200 V
Numero di prodotto di base VF40120 VF40150 VBT3045 FEPF16
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Standard
Serie TMBS® TMBS® TMBS® -
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 20A 20A 15A 8A
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto Tube Tube Tube Tube

VF40120C-E3/4W Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VF40120C-E3/4W PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per VF40120C-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

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Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 18/May/2018.pdf
Schede tecniche
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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