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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciVF20M120C-M3/4W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VF20M120C-M3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
VF20M120C-M3/4W
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-VF20M120C-M3/4W
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 20A 120V ITO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Scheda dati
VF20M120C-M3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 72170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VF20M120C-M3/4W
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VF20M120C-M3/4W, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VF20M120C-M3/4W

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 910 mV @ 10 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 120 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore ITO-220AB  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie TMBS®  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 700 µA @ 120 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 10A  
Numero di prodotto di base VF20M120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20M120C-M3/4W

Proprietà del prodotto VF20M120C-M3/4W VF20150C-E3/4W VF20200C-E3/4W VF2101D0I
Modello di prodotti VF20M120C-M3/4W VF20150C-E3/4W VF20200C-E3/4W VF2101D0I
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Avago Technologies (Broadcom)
Tensione - inversa (Vr) (max) 120 V 150 V 200 V -
Pacchetto Tube Tube Tube -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole -
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode -
Contenitore dispositivo fornitore ITO-220AB ITO-220AB ITO-220AB -
Tecnologia Schottky Schottky Schottky -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 910 mV @ 10 A 1.2 V @ 10 A 1.6 V @ 10 A -
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 10A 10A 10A -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 700 µA @ 120 V 150 µA @ 150 V 150 µA @ 200 V -
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -
Numero di prodotto di base VF20M120 VF20150 VF20200 -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab -
Serie TMBS® TMBS® TMBS® -

VF20M120C-M3/4W Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VF20M120C-M3/4W PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per VF20M120C-M3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 18/May/2018.pdf
Schede tecniche
VF20M120C-M3.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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