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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciV60D100CHM3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

V60D100CHM3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
V60D100CHM3/I
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-V60D100CHM3/I
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Scheda dati
V60D100C-M3, V60D100CHM3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 24458

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Specifiche

Specifiche tecnologiche V60D100CHM3/I
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V60D100CHM3/I, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V60D100CHM3/I

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 810 mV @ 30 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AC (SMPD)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 100 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 30A  
Numero di prodotto di base V60D100  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60D100CHM3/I

Proprietà del prodotto V60D100CHM3/I V60200PG-E3/45 V60170PW-M3/4W V60120C-E3/4W
Modello di prodotti V60D100CHM3/I V60200PG-E3/45 V60170PW-M3/4W V60120C-E3/4W
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 175°C -40°C ~ 150°C
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 100 V 200 µA @ 200 V 500 µA @ 170 V 500 µA @ 120 V
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Numero di prodotto di base V60D100 V60200 V60170 V60120
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® TMBS® TMBS® TMBS®
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 30A 30A 30A 30A
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AC (SMPD) TO-247AD (TO-3P) TO-3PW TO-220-3
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3 Full Pack TO-220-3
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V 200 V 170 V 120 V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 810 mV @ 30 A 1.48 V @ 30 A 930 mV @ 30 A 950 mV @ 30 A

V60D100CHM3/I Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica V60D100CHM3/I PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per V60D100CHM3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
V60D100C-M3, V60D100CHM3.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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