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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciV20M120M-E3/4W
V20M120M-E3/4W Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

V20M120M-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
V20M120M-E3/4W
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-V20M120M-E3/4W
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 10A 120V TO-220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
V20M120M-E3/4W.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 81520

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche V20M120M-E3/4W
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V20M120M-E3/4W, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V20M120M-E3/4W

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.01 V @ 10 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 120 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 500 µA @ 120 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 10A  
Numero di prodotto di base V20M120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20M120M-E3/4W

Proprietà del prodotto V20M120M-E3/4W V20M100M-E3/4W V20W60C-M3/I V20WM100C-M3/I
Modello di prodotti V20M120M-E3/4W V20M100M-E3/4W V20W60C-M3/I V20WM100C-M3/I
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Corrente - Dispersione inversa a Vr 500 µA @ 120 V 500 µA @ 100 V 5 mA @ 60 V 800 µA @ 100 V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.01 V @ 10 A 1.02 V @ 10 A 650 mV @ 10 A 820 mV @ 10 A
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA)
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie - - TMBS® TMBS®
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Tensione - inversa (Vr) (max) 120 V 100 V 60 V 100 V
Numero di prodotto di base V20M120 V20M100 V20W60 V20WM100
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 10A 10A 10A 10A
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

V20M120M-E3/4W Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica V20M120M-E3/4W PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per V20M120M-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
TO-220/TO-262 Wire Bond 11/Jan/2017.pdf
Schede tecniche
V20M120M-E3/4W.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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V20M120M-E3/4W

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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