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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloV12P10-M3/86A
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

V12P10-M3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
V12P10-M3/86A
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-V12P10-M3/86A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Pacchetto
TO-277, 3-PowerDFN
Scheda dati
V12P10.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 54320

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche V12P10-M3/86A
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V12P10-M3/86A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V12P10-M3/86A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 700 mV @ 12 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-277A (SMPC)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie eSMP®, TMBS®  
Contenitore / involucro TO-277, 3-PowerDFN  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 250 µA @ 100 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base V12P10  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P10-M3/86A

Proprietà del prodotto V12P10-M3/86A V12P10-E3/86A V12P10HM3/86A V12PM12-M3/86A
Modello di prodotti V12P10-M3/86A V12P10-E3/86A V12P10HM3/86A V12PM12-M3/86A
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie eSMP®, TMBS® eSMP®, TMBS® eSMP®, TMBS® eSMP®, TMBS®
Contenitore / involucro TO-277, 3-PowerDFN TO-277, 3-PowerDFN TO-277, 3-PowerDFN TO-277, 3-PowerDFN
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 700 mV @ 12 A 700 mV @ 12 A 700 mV @ 12 A 800 mV @ 12 A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A 12A 12A 12A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Contenitore dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) TO-277A (SMPC) TO-277A (SMPC) TO-277A (SMPC)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V 100 V 100 V 120 V
Capacità a Vr, F - - - -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 250 µA @ 100 V 250 µA @ 100 V 250 µA @ 100 V 500 µA @ 120 V
Numero di prodotto di base V12P10 V12P10 V12P10 V12PM12

V12P10-M3/86A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica V12P10-M3/86A PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per V12P10-M3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

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Schede tecniche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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