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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciUGF8JCT-E3/45
UGF8JCT-E3/45 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

UGF8JCT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
UGF8JCT-E3/45
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-UGF8JCT-E3/45
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE ARRAY GP 600V 4A ITO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Scheda dati
UG(F,B)8HCT & UG(F,B)8JCT.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche UGF8JCT-E3/45
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UGF8JCT-E3/45, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UGF8JCT-E3/45

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.75 V @ 4 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 600 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore ITO-220AB  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 50 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 30 µA @ 600 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 4A  
Numero di prodotto di base UGF8  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF8JCT-E3/45

Proprietà del prodotto UGF8JCT-E3/45 UGF2006G UGF8HCT-E3/45 UGF10GCT-E3/45
Modello di prodotti UGF8JCT-E3/45 UGF2006G UGF8HCT-E3/45 UGF10GCT-E3/45
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Taiwan Semiconductor Corporation Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.75 V @ 4 A 1.25 V @ 10 A 1.75 V @ 4 A 1.3 V @ 5 A
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Tempo di ripristino inverso (trr) 50 ns 20 ns 50 ns 50 ns
Contenitore dispositivo fornitore ITO-220AB ITO-220AB ITO-220AB ITO-220AB
Numero di prodotto di base UGF8 UGF2006 UGF8 UGF10
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Corrente - Dispersione inversa a Vr 30 µA @ 600 V 5 µA @ 400 V 30 µA @ 500 V 10 µA @ 400 V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 4A 20A 4A 5A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Tensione - inversa (Vr) (max) 600 V 400 V 500 V 400 V

UGF8JCT-E3/45 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica UGF8JCT-E3/45 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per UGF8JCT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
UG(F,B)8HCT & UG(F,B)8JCT.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 24/Aug/2018.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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