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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloSS1FH10HM3/H
SS1FH10HM3/H Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SS1FH10HM3/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
SS1FH10HM3/H
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-SS1FH10HM3/H
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO219AB
Pacchetto
DO-219AB
Scheda dati
SS1FH10.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 249470

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche SS1FH10HM3/H
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS1FH10HM3/H, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS1FH10HM3/H

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 800 mV @ 1 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®  
Contenitore / involucro DO-219AB  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 100 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A  
Capacità a Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz  
Numero di prodotto di base SS1FH10  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1FH10HM3/H

Proprietà del prodotto SS1FH10HM3/H SS1FH6-M3/H SS19FA SS18-LTP
Modello di prodotti SS1FH10HM3/H SS1FH6-M3/H SS19FA SS18-LTP
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi Micro Commercial Co
Capacità a Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz 90pF @ 4V, 1MHz 55pF @ 4V, 1MHz 35pF @ 4V, 1MHz
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V 60 V 90 V 80 V
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF) SOD-123FA DO-214AC (SMA)
Numero di prodotto di base SS1FH10 SS1FH6 SS19 SS18
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 800 mV @ 1 A 700 mV @ 1 A 800 mV @ 1 A 850 mV @ 1 A
Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® eSMP® Automotive, AEC-Q101 -
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A 1A 1A 1A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 100 V 3 µA @ 60 V 50 µA @ 90 V 50 µA @ 80 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Contenitore / involucro DO-219AB DO-219AB SOD-123W DO-214AC, SMA

SS1FH10HM3/H Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SS1FH10HM3/H PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per SS1FH10HM3/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Plating House Add 15/Jan/2021.pdf
Schede tecniche
SS1FH10.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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