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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloSS10PH10HM3/86A
SS10PH10HM3/86A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SS10PH10HM3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
SS10PH10HM3/86A
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-SS10PH10HM3/86A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-277, 3-PowerDFN
Scheda dati
SS10PH9, SS10PH10.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5180

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SS10PH10HM3/86A
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS10PH10HM3/86A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS10PH10HM3/86A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 880 mV @ 10 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-277A (SMPC)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie eSMP®  
Contenitore / involucro TO-277, 3-PowerDFN  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 100 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A  
Capacità a Vr, F 270pF @ 4V, 1MHz  
Numero di prodotto di base SS10PH10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10PH10HM3/86A

Proprietà del prodotto SS10PH10HM3/86A SS10PH45-M3/86A SS10PH9HM3/86A SS10PH10HM3_A/I
Modello di prodotti SS10PH10HM3/86A SS10PH45-M3/86A SS10PH9HM3/86A SS10PH10HM3_A/I
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A 10A 10A 10A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 880 mV @ 10 A 720 mV @ 10 A 880 mV @ 10 A 880 mV @ 10 A
Contenitore dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) TO-277A (SMPC) TO-277A (SMPC) TO-277A (SMPC)
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V 45 V 90 V 100 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Numero di prodotto di base SS10PH10 SS10PH45 SS10PH9 SS10PH10
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 100 V 80 µA @ 45 V 10 µA @ 90 V 10 µA @ 100 V
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie eSMP® eSMP® eSMP® Automotive, AEC-Q101, eSMP®
Contenitore / involucro TO-277, 3-PowerDFN TO-277, 3-PowerDFN TO-277, 3-PowerDFN TO-277, 3-PowerDFN
Capacità a Vr, F 270pF @ 4V, 1MHz 270pF @ 4V, 1MHz 270pF @ 4V, 1MHz 270pF @ 4V, 1MHz

SS10PH10HM3/86A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SS10PH10HM3/86A PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per SS10PH10HM3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

PCN Obsolescence/ EOL
Wafer Geometry Conversion 28/Jul/2015.pdf
Schede tecniche
SS10PH9, SS10PH10.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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