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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciSS10P3C-M3/86A
SS10P3C-M3/86A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SS10P3C-M3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
SS10P3C-M3/86A
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-SS10P3C-M3/86A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO277A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-277, 3-PowerDFN
Scheda dati
SS10P3C & SS10P4C.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 64170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SS10P3C-M3/86A
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS10P3C-M3/86A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS10P3C-M3/86A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 530 mV @ 5 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 30 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-277A (SMPC)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie eSMP®  
Contenitore / involucro TO-277, 3-PowerDFN  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 550 µA @ 30 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 5A  
Numero di prodotto di base SS10P3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P3C-M3/86A

Proprietà del prodotto SS10P3C-M3/86A SS10P2CLHM3/86A SS10P3CLHM3/86A SS10P3CHM3/86A
Modello di prodotti SS10P3C-M3/86A SS10P2CLHM3/86A SS10P3CLHM3/86A SS10P3CHM3/86A
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 5A 5A 5A 5A
Contenitore / involucro TO-277, 3-PowerDFN TO-277, 3-PowerDFN TO-277, 3-PowerDFN TO-277, 3-PowerDFN
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 530 mV @ 5 A 520 mV @ 5 A 520 mV @ 5 A 530 mV @ 5 A
Corrente - Dispersione inversa a Vr 550 µA @ 30 V 850 µA @ 20 V 850 µA @ 30 V 550 µA @ 30 V
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Numero di prodotto di base SS10P3 SS10P2 SS10P3 SS10P3
Tensione - inversa (Vr) (max) 30 V 20 V 30 V 30 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Serie eSMP® eSMP® eSMP® eSMP®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Contenitore dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) TO-277A (SMPC) TO-277A (SMPC) TO-277A (SMPC)

SS10P3C-M3/86A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SS10P3C-M3/86A PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per SS10P3C-M3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
MSSx/SSx 21/Jun/2022.pdf
Schede tecniche
SS10P3C & SS10P4C.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-SS10P3C-M3/86A

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