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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloS2GHE3_A/H
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

S2GHE3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
S2GHE3_A/H
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-S2GHE3_A/H
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
Pacchetto
DO-214AA, SMB
Scheda dati
S2A,B,D,G,J,K,M Series.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 193410

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche S2GHE3_A/H
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S2GHE3_A/H, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S2GHE3_A/H

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.15 V @ 1.5 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 400 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-214AA (SMB)  
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Tempo di ripristino inverso (trr) 2 µs  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-214AA, SMB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 400 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 1.5A  
Capacità a Vr, F 16pF @ 4V, 1MHz  
Numero di prodotto di base S2G  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2GHE3_A/H

Proprietà del prodotto S2GHE3_A/H S2G-E3/52T S2GA-13 S2GHE3/5BT
Modello di prodotti S2GHE3_A/H S2G-E3/52T S2GA-13 S2GHE3/5BT
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101 - - Automotive, AEC-Q101
Corrente - raddrizzata media (Io) 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A
Tempo di ripristino inverso (trr) 2 µs 2 µs - 2 µs
Contenitore / involucro DO-214AA, SMB DO-214AA, SMB DO-214AC, SMA DO-214AA, SMB
Capacità a Vr, F 16pF @ 4V, 1MHz 16pF @ 4V, 1MHz 20pF @ 4V, 1MHz 16pF @ 4V, 1MHz
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A
Contenitore dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) DO-214AA (SMB) SMA DO-214AA (SMB)
Numero di prodotto di base S2G S2G S2G S2G
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 400 V 1 µA @ 400 V 5 µA @ 400 V 1 µA @ 400 V
Tensione - inversa (Vr) (max) 400 V 400 V 400 V 400 V

S2GHE3_A/H Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica S2GHE3_A/H PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per S2GHE3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
Assembly site 28/Jun/2022.pdf
Schede tecniche
S2A,B,D,G,J,K,M Series.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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