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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

S1DHE3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
S1DHE3/61T
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-S1DHE3/61T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Pacchetto
DO-214AC, SMA
Scheda dati
S1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, S1M.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4430

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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Specifiche

Specifiche tecnologiche S1DHE3/61T
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1DHE3/61T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1DHE3/61T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1 V @ 1 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-214AC (SMA)  
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 1.8 µs  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-214AC, SMA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A  
Capacità a Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz  
Numero di prodotto di base S1D  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1DHE3/61T

Proprietà del prodotto S1DHE3/61T S1DB-13-F S1DHE3_A/I S1DA-E3/5AT
Modello di prodotti S1DHE3/61T S1DB-13-F S1DHE3_A/I S1DA-E3/5AT
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V 200 V 200 V 200 V
Contenitore / involucro DO-214AC, SMA DO-214AA, SMB DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA
Contenitore dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) SMB DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA)
Capacità a Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz 10pF @ 4V, 1MHz 12pF @ 4V, 1MHz 8pF @ 4V, 1MHz
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A 1A 1A 1A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tempo di ripristino inverso (trr) 1.8 µs 3 µs 1.8 µs 1 µs
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 200 V 5 µA @ 200 V 1 µA @ 200 V 3 µA @ 200 V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1 V @ 1 A 1.1 V @ 1 A 1.1 V @ 1 A 1.1 V @ 1 A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Numero di prodotto di base S1D S1D S1D S1D
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

S1DHE3/61T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica S1DHE3/61T PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per S1DHE3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

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Schede tecniche
S1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, S1M.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
PCN-DD-025-2012-Rev-0 28/Nov/2012.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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