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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloS07J-M-08
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

S07J-M-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
S07J-M-08
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-S07J-M-08
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GP 600V 700MA DO219AB
Pacchetto
DO-219AB
Scheda dati
S07x-M.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 456800

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche S07J-M-08
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S07J-M-08, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S07J-M-08

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1 V @ 1 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 600 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF)  
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Tempo di ripristino inverso (trr) 1.8 µs  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-219AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 600 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 700mA  
Capacità a Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz  
Numero di prodotto di base S07  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division S07J-M-08

Proprietà del prodotto S07J-M-08 S07J-GS18 S07G-M-08 S07D-GS08
Modello di prodotti S07J-M-08 S07J-GS18 S07G-M-08 S07D-GS08
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1 V @ 1 A 1.1 V @ 1 A 1.15 V @ 700 mA 1.1 V @ 1 A
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 600 V 10 µA @ 600 V 10 µA @ 400 V 10 µA @ 200 V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Corrente - raddrizzata media (Io) 700mA 700mA 500mA 700mA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF)
Tempo di ripristino inverso (trr) 1.8 µs 1.8 µs 150 ns 1.8 µs
Tensione - inversa (Vr) (max) 600 V 600 V 400 V 200 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità a Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz 4pF @ 4V, 1MHz 9pF @ 4V, 1MHz 4pF @ 4V, 1MHz
Numero di prodotto di base S07 S07 S07 S07
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Contenitore / involucro DO-219AB DO-219AB DO-219AB DO-219AB

S07J-M-08 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica S07J-M-08 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per S07J-M-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Plating House Add 15/Jan/2021.pdf
Schede tecniche
S07x-M.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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