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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloMBR1635
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MBR1635 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
MBR1635
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR1635
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-2
Scheda dati
MBR16(35,45).pdf
In magazzino: 3760

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR1635
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR1635, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR1635

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 630 mV @ 16 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 35 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro TO-220-2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 35 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 16A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base MBR16  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1635

Proprietà del prodotto MBR1635 MBR16150 MBR1640 MBR1635
Modello di prodotti MBR1635 MBR16150 MBR1640 MBR1635
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Taiwan Semiconductor Corporation Diodes Incorporated Taiwan Semiconductor Corporation
Numero di prodotto di base MBR16 - - -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacità a Vr, F - - 450pF @ 4V, 1MHz -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 35 V 100 µA @ 150 V 200 µA @ 40 V 500 µA @ 35 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Corrente - raddrizzata media (Io) 16A 16A 16A 16A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 630 mV @ 16 A 950 mV @ 16 A 630 mV @ 16 A 630 mV @ 16 A
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC TO-220AC TO-220AC TO-220AC
Tensione - inversa (Vr) (max) 35 V 150 V 40 V 35 V

MBR1635 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR1635 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per MBR1635 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
MBR16(35,45).pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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